Samsung îro dest bi hilberîna girseyî ya modulên xwe yên nû DDR3 DRAM kir ku pêvajoyek çêkirinê ya 20 nanometer bikar tîne. Van modulên nû xwedî kapasîteya 4Gb, ango 512MB in. Lêbelê, bîranîna berdest a modulên kesane ne taybetmendiya wan a bingehîn e. Pêşveçûn tam di karanîna pêvajoyek hilberîna nû de ye, ku li gorî pêvajoya kevintir, 25 nanometer, heya 25% kêm xerckirina enerjiyê vedigire.
Veguhastina teknolojiya 20-nm di heman demê de gava paşîn e ku pargîdanî ji destpêkirina hilberîna modulên bîranînê bi karanîna pêvajoya 10-nm vediqetîne. Teknolojiya ku niha ji bo modulên nû tê bikar anîn di heman demê de ya herî pêşkeftî ye li ser sûkê û ne tenê bi komputeran, lê di heman demê de bi cîhazên mobîl re jî dikare were bikar anîn. Ji bo komputeran, ev tê vê wateyê ku Samsung naha dikare çîpên bi heman mezinahiyê, lê bi bîranînek xebitandinê ya pir mezintir biafirîne. Samsung di heman demê de neçar ma ku teknolojiya xwe ya heyî biguhezîne da ku bikaribe çîpên piçûktir bike û di heman demê de rêbaza hilberîna heyî biparêze.
- Dibe ku hûn bala xwe bidin: Samsung yekem bîranîna DRAM-a mobîl a 8Gb LPDDR4 pêşve xistiye
